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圖片信息
SSM6K211FE(TE85L,F圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SSM6K211FE(TE85L,F
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載SSM6K211FE(TE85L,F的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 東芝半導體公司完整型號:SSM6K211FE(TE85L,F
  • 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):47 毫歐 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10.8nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):510pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
  • 供應商器件封裝:ES6(1.6x1.6)
  • SSM6K211FE(TE85L,F均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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