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圖片信息
KLUDG8J1ZD-B0CQ圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:KLUDG8J1ZD-B0CQ
  • 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
  • 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
  • 產(chǎn)品應用分類:嵌入式存儲器
  • 點擊此處下載KLUDG8J1ZD-B0CQ的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 三星芯片型號:KLUDG8J1ZD-B0CQ
  • 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
  • 功能類別:嵌入式存儲器
  • 版本:UFS 2.1
  • 容量:128GB
  • 工作電壓:1.8/3.3 V
  • 接口:G3 2Lane
  • 封裝尺寸:11.5 x 13 x 1.2 mm
  • 工作溫度:-40 ~ 105 °C
  • 產(chǎn)品狀態(tài):樣品
  • KLUDG8J1ZD-B0CQ均從三星半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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