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圖片信息
NXH350N100H4Q2F2P1G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:NXH350N100H4Q2F2P1G
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
  • 技術(shù)標準參數(shù):IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 點擊此處下載NXH350N100H4Q2F2P1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:NXH350N100H4Q2F2P1G
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:溝槽型場截止
  • 配置:三級反相器
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1000V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):303A
  • 功率-最大值:276W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,375A
  • 電流-集電極截止(最大值):1mA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):24.146nF @ 20V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:是
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:模塊
  • NXH350N100H4Q2F2P1G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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