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圖片信息
PMFPB6532UP,115圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:PMFPB6532UP,115
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點(diǎn)擊此處下載PMFPB6532UP,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:PMFPB6532UP,115
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A DFN2020-6
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類型:P 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.5A(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):70 毫歐 @ 1A,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):380pF @ 10V
  • FET功能:肖特基二極管(隔離式)
  • 功率耗散(最大值):520mW(Ta),8.3W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:DFN2020-6
  • PMFPB6532UP,115均從NXP代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    NXP產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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