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圖片信息
PDTD113EK,115圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):PDTD113EK,115
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
  • 點(diǎn)擊此處下載PDTD113EK,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):PDTD113EK,115
  • 制造商:NXP USA Inc.
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
  • 系列:晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):500mA
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器-基極(R1):1 kOhms
  • 電阻器-發(fā)射極(R2):1 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)(最小值):33 @ 50mA,5V
  • 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
  • 電流-集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率-躍遷:-
  • 功率-最大值:250mW
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • PDTD113EK,115均從NXP代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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