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圖片信息
APTM100TDU35PG圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):APTM100TDU35PG
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載APTM100TDU35PG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):APTM100TDU35PG
  • 制造商:Microsemi Corporation
  • 描述:MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型:6 N-溝道(3 相橋)
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):1000V(1kV)
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):22A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):420 毫歐 @ 11A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):186nC @ 10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):5200pF @ 25V
  • 功率-最大值:390W
  • 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:底座安裝
  • 封裝:SP6
  • APTM100TDU35PG均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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