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圖片信息
APT65GP60J圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:APT65GP60J
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術標準參數(shù):IGBT 600V 130A 431W SOT227
  • 產品應用分類:IGBT模塊
  • 點擊此處下載APT65GP60J的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號:APT65GP60J
  • 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
  • 描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227
  • 系列:POWER MOS 7
  • IGBT 類型:PT
  • 配置:單一
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):130A
  • 功率 - 最大值:431W
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,65A
  • 電流 - 集電極截止(最大值):1mA
  • 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):7.4nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC 熱敏電阻:無
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商器件封裝:ISOTOP
  • APT65GP60J均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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