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圖片信息
SI3443DV圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SI3443DV
  • 原始制造廠商:IR,國際整流器
  • 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  • 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
  • 點擊此處下載SI3443DV的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SI3443DV
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.4A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):65 毫歐 @ 4.4A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1079pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:SOT-23-6
  • 供應商器件封裝:Micro6(TSOP-6)
  • SI3443DV均從IR代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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